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SCT20N120

MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Numéro d'article

SCT20N120

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

HiP247™

Dissipation de puissance (maximum)

175W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 10A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 400V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

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