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SCT2120AFC

MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Numéro d'article

SCT2120AFC

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

165W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

29A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 10A, 18V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 3.3mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 18V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 500V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Vgs (Max)

+22V, -6V

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