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RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
Numéro d'article
RUM002N05T2L
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-723
Package d'appareil du fournisseur
VMT3
Dissipation de puissance (maximum)
150mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
50V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
200mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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