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RUM001L02T2CL

MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3

Numéro d'article

RUM001L02T2CL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-723

Package d'appareil du fournisseur

VMT3

Dissipation de puissance (maximum)

150mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7.1pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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