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RRS110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Numéro d'article

RRS110N03TB1

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SOP

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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