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RRS100P03TB1

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

Numéro d'article

RRS100P03TB1

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SOP

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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