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NDC651N

MOSFET N-CH 30V 3.2A SSOT6

Numéro d'article

NDC651N

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

SuperSOT™-6

Dissipation de puissance (maximum)

1.6W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

20V

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