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NDC631N

MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Numéro d'article

NDC631N

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

SuperSOT™-6

Dissipation de puissance (maximum)

1.6W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

365pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Vgs (Max)

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