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IRFNL210BTA-FP001

IRFNL210BTA-FP001

MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
Numéro d'article
IRFNL210BTA-FP001
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Box (TB)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package d'appareil du fournisseur
TO-92L
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de IRFNL210BTA-FP001
IRFNL210BTA-FP001 Composants électroniques
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