Acheter ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001 MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

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IRFN214BTA_FP001

MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

Numéro d'article

IRFN214BTA_FP001

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Box (TB)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

1.8W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

600mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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