Acheter ON Semiconductor FQU2N60TU MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

FQU2N60TU

MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

Numéro d'article

FQU2N60TU

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

I-PAK

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.7 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 44403 PCS

Coordonnées

Produits connexes

FQU20N06LTU

MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK