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FQU2N100TU

MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

Numéro d'article

FQU2N100TU

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

I-PAK

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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