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FQN1N50CTA

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Numéro d'article

FQN1N50CTA

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Box (TB)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

890mW (Ta), 2.08W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

380mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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