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FQN1N50CBU
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FQN1N50CBU

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Numéro d'article
FQN1N50CBU
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
QFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Package d'appareil du fournisseur
TO-92-3
Dissipation de puissance (maximum)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
380mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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