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FDB3632
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FDB3632

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Numéro d'article
FDB3632
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D²PAK
Dissipation de puissance (maximum)
310W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
12A (Ta), 80A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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