L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
FDB33N25TM

FDB33N25TM

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Numéro d'article
FDB33N25TM
Fabricant/Marque
Série
UniFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D²PAK
Dissipation de puissance (maximum)
235W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
33A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2135pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 24979 PCS
Coordonnées
Mots-clés de FDB33N25TM
FDB33N25TM Composants électroniques
FDB33N25TM Ventes
FDB33N25TM Fournisseur
FDB33N25TM Distributeur
FDB33N25TM Tableau de données
FDB33N25TM Photos
FDB33N25TM Prix
FDB33N25TM Offre
FDB33N25TM Prix ​​le plus bas
FDB33N25TM Recherche
FDB33N25TM Achat
FDB33N25TM Chip