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FDM15-06KC5
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
Numéro d'article
FDM15-06KC5
Fabricant/Marque
Série
CoolMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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