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FDM100-0045SP

FDM100-0045SP

MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
Numéro d'article
FDM100-0045SP
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
55V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de FDM100-0045SP
FDM100-0045SP Composants électroniques
FDM100-0045SP Ventes
FDM100-0045SP Fournisseur
FDM100-0045SP Distributeur
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