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SIHU4N80E-GE3
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
Numéro d'article
SIHU4N80E-GE3
Fabricant/Marque
Série
E
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Package d'appareil du fournisseur
IPAK (TO-251)
Dissipation de puissance (maximum)
69W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.3A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
622pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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