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SI8902AEDB-T2-E1

N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

Numéro d'article

SI8902AEDB-T2-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UFBGA

Puissance - Max

5.7W

Package d'appareil du fournisseur

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

24V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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