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SI8900EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Numéro d'article

SI8900EDB-T2-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

10-UFBGA, CSPBGA

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Type FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.4A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1.1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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