L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
SI7501DN-T1-E3

SI7501DN-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Numéro d'article
SI7501DN-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® 1212-8 Dual
Puissance - Max
1.6W
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® 1212-8 Dual
Type FET
N and P-Channel, Common Drain
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.4A, 4.5A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 37752 PCS
Coordonnées
Mots-clés de SI7501DN-T1-E3
SI7501DN-T1-E3 Composants électroniques
SI7501DN-T1-E3 Ventes
SI7501DN-T1-E3 Fournisseur
SI7501DN-T1-E3 Distributeur
SI7501DN-T1-E3 Tableau de données
SI7501DN-T1-E3 Photos
SI7501DN-T1-E3 Prix
SI7501DN-T1-E3 Offre
SI7501DN-T1-E3 Prix ​​le plus bas
SI7501DN-T1-E3 Recherche
SI7501DN-T1-E3 Achat
SI7501DN-T1-E3 Chip