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IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Numéro d'article

IRLD110PBF

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Package d'appareil du fournisseur

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Dissipation de puissance (maximum)

1.3W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Vgs (Max)

±10V

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