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IRC530PBF

IRC530PBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
Numéro d'article
IRC530PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-5
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-5
Dissipation de puissance (maximum)
88W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Current Sensing
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
14A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IRC530PBF
IRC530PBF Composants électroniques
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