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TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Numéro d'article
TPH4R50ANH,L1Q
Fabricant/Marque
Série
U-MOSVIII-H
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-SOP Advance (5x5)
Dissipation de puissance (maximum)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
60A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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