Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK7J90E,S1E MOSFET N-CH 900V TO-3PN

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TK7J90E,S1E

MOSFET N-CH 900V TO-3PN

Numéro d'article

TK7J90E,S1E

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVIII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3P(N)

Dissipation de puissance (maximum)

200W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

900V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 700µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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