Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

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TK18E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Numéro d'article

TK18E10K3,S1X(S

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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