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XP161A1265PR-G

XP161A1265PR-G

MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Numéro d'article
XP161A1265PR-G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-243AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-89
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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Coordonnées
Mots-clés de XP161A1265PR-G
XP161A1265PR-G Composants électroniques
XP161A1265PR-G Ventes
XP161A1265PR-G Fournisseur
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