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XP151A11B0MR-G

XP151A11B0MR-G

MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
Numéro d'article
XP151A11B0MR-G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de XP151A11B0MR-G
XP151A11B0MR-G Composants électroniques
XP151A11B0MR-G Ventes
XP151A11B0MR-G Fournisseur
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