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STW9N80K5

STW9N80K5

MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247
Numéro d'article
STW9N80K5
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ K5
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247
Dissipation de puissance (maximum)
110W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
7A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de STW9N80K5
STW9N80K5 Composants électroniques
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