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STV160NF02LT4

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

Numéro d'article

STV160NF02LT4

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

STripFET™ II

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Package d'appareil du fournisseur

10-PowerSO

Dissipation de puissance (maximum)

210W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

160A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±15V

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