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STU11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

Numéro d'article

STU11NM60ND

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

FDmesh™ II

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

I-PAK

Dissipation de puissance (maximum)

90W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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