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STT4P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

Numéro d'article

STT4P3LLH6

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

DeepGATE™, STripFET™ H6

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-6

Dissipation de puissance (maximum)

1.6W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

56 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

639pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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