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STQ2NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Numéro d'article
STQ2NK60ZR-AP
Fabricant/Marque
Série
SuperMESH™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Box (TB)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Package d'appareil du fournisseur
TO-92-3
Dissipation de puissance (maximum)
3W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
400mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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