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STQ1HN60K3-AP

MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92

Numéro d'article

STQ1HN60K3-AP

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

SuperMESH3™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Box (TB)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

400mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 600mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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