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STH15NB50FI

MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218

Numéro d'article

STH15NB50FI

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

PowerMESH™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

ISOWATT-218-3

Package d'appareil du fournisseur

ISOWATT-218

Dissipation de puissance (maximum)

80W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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