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STH110N10F7-6

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Numéro d'article

STH110N10F7-6

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

DeepGATE™, STripFET™ VII

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Package d'appareil du fournisseur

H2PAK-6

Dissipation de puissance (maximum)

150W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

110A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5117pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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