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STH150N10F7-2

STH150N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
Numéro d'article
STH150N10F7-2
Fabricant/Marque
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
H2Pak-2
Dissipation de puissance (maximum)
250W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8115pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de STH150N10F7-2
STH150N10F7-2 Composants électroniques
STH150N10F7-2 Ventes
STH150N10F7-2 Fournisseur
STH150N10F7-2 Distributeur
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