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STH140N6F7-2

STH140N6F7-2

MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Numéro d'article
STH140N6F7-2
Fabricant/Marque
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
H2Pak-2
Dissipation de puissance (maximum)
158W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
80A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de STH140N6F7-2
STH140N6F7-2 Composants électroniques
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