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RYC002N05T316
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Numéro d'article
RYC002N05T316
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SST3
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
50V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
200mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
800mV @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
26pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Vgs (Max)
±8V
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