Acheter Rohm Semiconductor RV2C010UNT2L MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

RV2C010UNT2L

MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

Numéro d'article

RV2C010UNT2L

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-101, SOT-883

Package d'appareil du fournisseur

DFN1006-3 (VML1006)

Dissipation de puissance (maximum)

400mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

470 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 20383 PCS

Coordonnées

Produits connexes

RV2C001ZPT2L

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006