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RSR010N10TL

MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3

Numéro d'article

RSR010N10TL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-96

Package d'appareil du fournisseur

TSMT3

Dissipation de puissance (maximum)

540mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

520 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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