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RSJ10HN06TL

MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

Numéro d'article

RSJ10HN06TL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

LPTS

Dissipation de puissance (maximum)

100W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

202nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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