Acheter Rohm Semiconductor RP1A090ZPTR MOSFET P-CH 12V 9A MPT6

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RP1A090ZPTR

MOSFET P-CH 12V 9A MPT6

Numéro d'article

RP1A090ZPTR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-SMD, Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

MPT6

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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