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RJU002N06T106

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Numéro d'article

RJU002N06T106

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-70, SOT-323

Package d'appareil du fournisseur

UMT3

Dissipation de puissance (maximum)

200mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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