Acheter Rohm Semiconductor RJP020N06T100 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

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RJP020N06T100

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

Numéro d'article

RJP020N06T100

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-243AA

Package d'appareil du fournisseur

MPT3

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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