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RCD041N25TL

MOSFET N-CH 250V 4A CPT3

Numéro d'article

RCD041N25TL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

CPT3

Dissipation de puissance (maximum)

850mW (Ta), 20W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1300 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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