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QH8MA2TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

Numéro d'article

QH8MA2TCR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Puissance - Max

1.25W

Package d'appareil du fournisseur

TSMT8

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.5A, 3A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

365pF @ 10V

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