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HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Numéro d'article
HS8K11TB
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-UDFN Exposed Pad
Puissance - Max
2W
Package d'appareil du fournisseur
HSML3030L10
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
7A, 11A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
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