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H5N2522LSTL-E
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
Numéro d'article
H5N2522LSTL-E
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-83
Package d'appareil du fournisseur
4-LDPAK
Dissipation de puissance (maximum)
75W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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